Wall dress proyecto ganador de Samsung EGO Innovation Project

El proyecto premiado en esta octava edición del certamen propone una serie de planos arquitectónicos que se transforman en patrones de moda sobre la pasarela. La propuesta de ZAP & BUJ inaugurará la jornada de Samsung EGO el martes 19 de septiembre.

Samsung EGO Innovation Project, el certamen que une moda y tecnología, ha nombrado ganador de su octava edición a la firma ZAP & BUJ por su proyecto Wall dress. Se trata de una interesante propuesta que convierte planos arquitectónicos en patrones de moda. Este proyecto, que verá la luz el próximo 19 de septiembre sobre la pasarela Samsung EGO, presenta una nueva forma de comprender la arquitectura y la moda dentro del mismo campo.

Elena Zapico y Raquel Buj son las mentes creativas tras la firma ZAP & BUJ. Dos arquitectas cuyas carreras han creado sinergias con el mundo de la moda. En 2017 co-fundan su propia marca de moda con la firme convicción de la necesaria confluencia entre moda y arquitectura. La colección, que descansa bajo el nombre Wall dress, se presentará sobre la pasarela configurándose como la primera de la firma.

Wall dress aproxima la arquitectura al cuerpo haciendo posible la recuperación de la cercanía y conexión entre ambos que se ha ido desvaneciendo en los espacios que habitamos. La propuesta presenta una serie de paneles arquitectónicos en forma de muros o veladuras que se convierten en vestidos a través de la tecnología y el uso de tejidos y materiales con memoria de forma (MSP y MSA).

La firma propone un proyecto en el que han trabajado dentro del campo de la creación y fabricación digital de nuevas pieles: materiales que se adaptan a la forma del cuerpo al recibir un estímulo de calor. Para el desarrollo de la parte tecnológica de la propuesta, ZAP & BUJ ha colaborado con Aitex, centro de referencia de investigación, innovación y servicios técnicos avanzados para el sector textil y la confección de textiles técnicos y con el Instituto de Ciencia y Tecnología de Polímeros del CSIC.